４．国内会議・学会・研究会発表(2025〜1995)

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  1. 甲斐涼雅，海津利行，宮下直也，山口浩一: 「面内超高密度量子ドットにおける強結合遷移モデル」, 2025年（令和7年）第72回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 16p-P14-4 (2025).

  2. アチャリヤ淳一，海津利行，宮下直也，山口浩一: 「Si基板上のInAsナノワイヤーからの横方向成長によるInAs薄膜成長」, 2025年（令和7年）第72回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 16a-K310-2 (2025).

  3. 切柳匠登，宮下直也，牧田紀久夫，菅谷武芳，海津利行，山口浩一: 「逆積み構造太陽電池のスマートスタックに向けたエピタキシャル薄膜の３回転写プロセス開発」, 2025年（令和7年）第72回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 16p-P15-4 (2025).

  4. 山口浩一:（依頼講演）「面内超高密度量子ドットのエピタキシャル成長技術とその光電子デバイスへの応用」，日本鉱業協会新材料部会講演会, (2025)．

  5. Sim jui Oon, Naoya Miyashita, Koichi Yamaguchi:「Anomalous Photoluminescence Properties due to Strong Coupling of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum Dots」, 2024年（令和6年）第71回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 25a-12K-5 (2024).

  6. 渡部陸太，中川竜輔，宮下直也，山口浩一: 「Si(111)基板上への高密度InAsSb/InAsコアシェルナノワイヤーの成長」, 2024年（令和6年）第71回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 24p-P15-5 (2024).

  7. 大山琢未，荒尾光哉，宮下直也，山口浩一:「InAs/InAsSb面内超高密度量子ドット層の光伝導特性」, 2024年（令和6年）第71回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 24p-P15-10 (2024).

  8. 中里雄次，宮下直也，山口浩一:「近接積層InAs量子ドットにおける共鳴トンネル伝導」, 2023年（令和5年）第70回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 15p-D411-3 (2023).

  9. Sim jui Oon, Naoya Miyashita, Koichi Yamaguchi:「Abnormal Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs/InAsSb Quantum-Dot Layer」, 2023年（令和5年）第70回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 17p-PB06-3 (2023).

  10. 中川竜輔，渡部陸太，宮下直也，山口浩一: 「Si(111)基板上への高密度InAs量子ナノワイヤのMBE成長」, 2023年（令和5年）第70回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 15p-PA05-4 (2023).

  11. 山口浩一，田中元幸:（招待講演）「面内超高密度InAs量子ドットの成長技術とその半導体レーザ応用」，2022年電子情報通信学会ソサイエティ大会・シンポジウム「将来の光デバイスに向けた成長及びプロセス要素技術の最新動向」, CI-2-1 (2022).

  12. 山口浩一:（招待講演）「面内超高密度量子ドットの自己形成と光電子デバイス応用」，2020年東北大学多元物質科学研究所 金属資源プロセス研究センターシンポジウム「エネルギー・環境問題を解決する新材料・新技術」講演要旨集, (2020) pp.43-47.

  13. 山口浩一:（招待講演）「高密度・高均一量子ドットの自己形成と光電子デバイス応用」，2020年電子情報通信学会ソサイエティ大会・シンポジウム「新たな光デバイスを生みだす革新的基盤技術」, CI-2-2 (2020).

  14. 加藤彬紘，立木 象，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット層における中間バンド形成」，2020年（令和2年）第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 14a-PA5-2 (2020).

  15. 飯嶋直人，宇野 江，坂本克好，山口浩一: 「InP基板上のInAs/GaAsSb type-U超格子構造を用いた中赤外LEDの作製(2)」,2020年（令和2年）第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 13p-PA5-9 (2020).

  16. 柿澤俊太，田中広也，坂本克好，山口浩一: 「Si(111)基板上へのGaAsSb/InAsコアシェル・ナノワイヤのMBE成長」, 2020年（令和2年）第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 13p-PA5-5 (2020).

  17. 田中優太，佐々木一夢，山口浩一：「分子線堆積法によるガラス基板上へのInAs量子ドットの自己形成」, 2020年（令和2年）第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 12p-D215-6 (2020).

  18. 馬場慶一郎，田中元幸，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製(2)」, 2020年（令和2年）第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 13p-PA5-1 (2020).

  19. 立木 象，杉山 涼，山口浩一: 「高密度InAs量子ドット層における欠陥起因の励起子発光マッピング」, 2019年（令和元年）第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 20p-E302-11 (2019).

  20. 宇野江，飯嶋直人，山口浩一: 「InP基板上のInAs/GaAsSb type-U超格子構造を用いた中赤外LEDの作製」, 2019年（令和元年）第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 19p-PB5-14 (2019).

  21. 田中元幸, 馬場慶一郎，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製」, 2019年（平成31年）第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 11p-PA4-3 (2019).

  22. 戸川匠，鈴木亮介，寺田圭佑，坂本克好，曽我部東馬，山口浩一:「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドット太陽電池の集光特性(2)」, 2019年（平成31年）第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 10a-PB3-2 (2019).

  23. 池田侑矢，山口浩一，坂本克好，小林哲：「イオンビーム堆積法によるInP/ZnS CQD薄膜作製とキャラクタリゼーション」, 2019年（平成31年）第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 11p-S223-13 (2019).

  24. 佐々木一夢，馬飼野彰宜，坂本克好，山口浩一：「分子線堆積法によるSiOx膜上へのInAs量子ドットの自己形成(3)」, 2019年（平成31年）第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 10a-PB3-2 (2019).

  25. 立木 象，杉山 涼，山口浩一：「面内超高密度InAs量子ドット層の面内PLマッピング解析(2)」，2019年（平成31年）第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集11p-S422-8 (2019).

  26. 池田侑矢，山口浩一，坂本克好，小林 哲：「エレクトロスプレーイオン源による薄膜のキャラクタリゼーション」，第28回インテリジェント・ナノ材料シンポジウム, B2-3 (2019).

  27. 立木象, 杉山涼，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット層のPLマッピング解析」, 2018年（平成30年）第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 18p-234B-11 (2018).

  28. 馬飼野彰宜, 坂本克好，曽我部東馬，山口浩一: 「分子線堆積法によるSiOx/半導体基板上へのInAs量子ドットの自己形成(2)」, 2018年（平成30年）第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 18p-234B-12 (2018).

  29. 外川開人, 宇野江，山口浩一: 「InP基板上への中赤外発光InAs/GaAsSb type-II超格子構造のMBE成長」, 2018年（平成30年）第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 19p-PB6-3 (2018).

  30. 田中元幸, 山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製」, 2018年（平成30年）第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 19p-PB6-6 (2018).

  31. 鈴木亮介, 坂本克好，曽我部東馬，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドット太陽電池の集光特性」, 2018年（平成30年）第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 20a-136-3 (2018).

  32. 杉山涼, 立木象，山口浩一: 「量子ドット太陽電池用Type-II型InAs/GaAsSb量子ドット層の発光特性」, 2018年（平成30年）第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 20a-136-2 (2018).

  33. 山口浩一:「酸化膜上へのV-X族半導体量子ドットの成長」, 第14回量子ナノ材料セミナー，埼玉大　(2018.09.25).

  34. 杉山 涼，立木 象，山口浩一：「GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドットの層の発光特性(3)」，2018年（平成30年）第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集17p-F214-10 (2018).

  35. 立木 象，杉山 涼，加藤智恵，山口浩一：「面内超高密度InAs量子ドット層の面内PLマッピング測定評価」，2018年（平成30年）第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集18p-P8-11 (2018).

  36. 寺田圭佑，鈴木亮介，坂本克好，曽我部東馬，山口浩一：「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池のドリフト・拡散モデルによる特性解析」，2018年（平成30年）第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集18p-P13-13 (2018).

  37. ウイクラマナヤカ・ラシミ・プラビーン，馬飼野彰宜，坂本克好，山口浩一：「分子線堆積法によるSiO2/半導体上へのInAs量子ドットの自己形成」，2018年（平成30年）第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集18p-P8-5 (2018).

  38. 山口浩一:「面内超高密度量子ドット層の太陽電池応用」, 第13回量子ナノ材料セミナー，東大先端研　(2018.01.10).

  39. 山口浩一:（招待講演）「自己形成量子ドットの進展」, 2017年（平成29年）第78回応用物理学会秋季学術講演会　シンポジウム講演「革新デバイスを支えるV-X族半導体の成長技術」講演予稿集 8a-A203-2 (2017).

  40. 鈴木亮介, 杉山涼，加藤智恵，曽我部東馬，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池におけるUrback tailの影響」, 2017年（平成29年）第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 6p-PA5-21 (2017).

  41. 杉山涼, 立木象，曽我部東馬，山口浩一: 「GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドット層の発光特性(2)」, 2017年（平成29年）第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 5a-C21-6 (2017).

  42. 山口浩一：（依頼講演），「量子現象利用デバイス技術動向」平成29年度 JEITA 先端電子材料・デバイス技術フォーラム〜材料科学の視点から見えてくる実現可能な世界〜, 2017.

  43. 馬飼野彰宜，及川信吾，坂本克好，山口浩一: 「Sb照射熱処理によるInAs量子ドット層の構造変化」, 2017年（平成29年）第64回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 17p-P2-12 (2017).

  44. 杉山涼， 秋元直己 ，曽我部東馬，山口浩一: 「GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドット層の発光特性」, 2017年（平成29年）第64回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 17p-P2-13 (2017).

  45. 山口浩一:（招待講演）「量子ドットのデバイス応用」, 太陽光発電プロジェクト講演会（宮崎大）(2017.03.09).

  46. 及川信吾, 馬飼野彰宜，曽我部東馬，山口浩一: 「InAsSb/GaAs(001)上へのInAs3次元島成長とその発光特性」, 2016年（平成28年）第77回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 15p-P11-4 (2016).

  47. 仁井皓大, 南裕太，坂本克好，曽我部東馬，山口浩一，岡田至崇: 「InAs/GaAs量子ドット太陽電池におけるホットキャリア輸送ダイナミクス」, 2016年（平成28年）第77回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集14p-P21-27 (2016).

  48. 永井大嗣，外川開斗，山口浩一: 「InP基板上への3μm帯発光InAsSb量子ナノ構造のMBE成長」, 2016年（平成28年）第77回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 16a-B9-9 (2016).

  49. 及川信吾, 鮫島一樹, 山口浩一: 「InAsSb/GaAs(001)上のInAs成長における3次元核形成機構 」, 2016年（平成28年）第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 21a-H112-5 (2016)12-222

  50. 南裕太, 秋元直己, 鮫島一樹, 山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット層における熱処理効果 」, 2016年（平成28年）第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 20p-P16-8 (2016)12-184

  51. 秋元直己, 仁井皓大, 南裕太, 遠藤航介, 山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池の熱処理効果 」, 2016年（平成28年）第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 20a-S011-5 (2016)11-144

  52. 鮫島一樹, 山口浩一: 「InAsSb/GaAs 層上の面内超高密度 InAs 量子ドットの発光特性 」, 2015年（平成27年）第76回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 14p-2W-3 (2015)13-171

  53. 秋元直己, 山口浩一: 「面内高密度 InAs/GaAsSb 量子ドット層における光励起キャリア効果」, 2015年（平成27年）第76回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集15p-PB1-3 (2015) 12-299

  54. 山口浩一: （招待講演）「自己形成量子ドットの作製技術とデバイス応用」, 第49回基礎科学部会セミナー「低次元形態セラミックスの機能と構造制御」，日本セラミックス協会，2015.

  55. 山口浩一：（依頼講演），「量子ドット利用デバイス技術動向」平成27年度 JEITA 先端電子材料・デバイス技術フォーラム〜IT・エレクトロニクスが支える将来〜, 2015.

  56. 東條孝志, 山口浩一, 塚本史郎: 「In断続供給によるInAs量子ドット形成のSTMBE観察」, 2015年（平成27年）春季第62回応用物理学会学術講演会予稿集, 14p-D4-7 (2015) 13-315.

  57. 鮫島一樹, 山口浩一: 「InAsSb 層上への面内超高密度InAs 量子ドット（1012 cm-2）の自己形成（3）」, 2015年（平成27年）春季第62回応用物理学会学術講演会予稿集, 14p-D4-3 (2015) 13-311.

  58. 佐藤祐介, 秋元直己, 内田俊介, 山口浩一: 「面内高密度InAs量子ドット層の発光特性のInAs成長量依存性」, 2015年（平成27年）春季第62回応用物理学会学術講演会予稿集, 13a-P15-7 (2015) 13-233.

  59. 秋元直己, 内田俊介, 山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット層おける光伝導特性」, 2015年（平成27年）春季第62回応用物理学会学術講演会予稿集, 19p-P19-19 (2015) 10-84.

  60. 山口浩一: （招待講演）「半導体量子ドットの結晶成長技術と光デバイス応用の展開」, The 25 th Meeting on Glasses for Photonics，日本セラミックス協会ガラス部会フォトニクス分科会, (2015) 11, pp.21-22.

  61. 内田俊介，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット層の特異なPL特性」, 2014年（平成26年）秋季第75回応用物理学会学術講演会予稿集, 19p-PB5-2 (2014) 15-050.

  62. 山下博幸，山口浩一: 「低密度InAs量子ドットを内蔵したマイクロピラー共振器の作製とPL発光特性」, 2014年（平成26年）秋季第75回応用物理学会学術講演会予稿集, 18p-A20-12 (2014) 15-039.

  63. 東條孝志，山口浩一，塚本史郎: 「InAsウェッティング層上ステップ構造近傍での量子ドット形成STMBE観察」, 2014年（平成26年）秋季第75回応用物理学会学術講演会予稿集, 18p-A20-6 (2014) 15-280.

  64. 内田圭祐，坂本克好，山口浩一: 「InAs/GaAsSb量子ドットを用いた中間バンド太陽電池の集光特性の計算」, 2014年（平成26年）秋季第75回応用物理学会学術講演会予稿集, 17p-A28-11 (2014) 14-219.

  65. 鮫島一樹，佐野琢哉，山口浩一: 「InAsSb層上への面内超高密度InAs量子ドット(1012 cm-2)の自己形成(2)」, 2014年（平成26年）春季第61回応用物理学会学術講演会予稿集, 18p-PG6-15 (2014) 15-071.

  66. 山田和寛，山本雅人，山口浩一: 「高密度InAs量子ドット層の広帯域発光特性」, 2014年（平成26年）春季第61回応用物理学会学術講演会予稿集, 18p-PG6-14 (2014) 15-070.

  67. 山下博幸，高橋佑太，山口浩一: 「自己形成GaAsナノホールを用いた近接積層InAs量子ドットの発光特性」, 2014年（平成26年）春季第61回応用物理学会学術講演会予稿集, 17p-E11-4 (2014) 15-037.

  68. 内田俊介，塩川美雪，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット層における長い蛍光寿命特性」, 2014年（平成26年）春季第61回応用物理学会学術講演会予稿集, 17p-E11-3 (2014) 15-036.

  69. 東條孝志，山口浩一，塚本史郎: 「STMBE法によるGaAs(001)上InAs3D島構造成長その場観察」, 2014年（平成26年）春季第61回応用物理学会学術講演会予稿集, 17a-E11-5 (2014) 15-263.

  70. 山口浩一：（招待講演）「面内超高密度InAs量子ドットの自己形成とその特性評価」, 第９回量子ナノ材料セミナー，阿南高専　(2013.11.06).

  71. 塩川美雪，山口浩一: 「GaAsSbバッファ層上の面内超高密度InAs量子ドットの選択励起PL特性」, 2013年（平成25年）秋季第74回応用物理学会学術講演会予稿集, 19p-D3-16 (2013) 15-055.

  72. 山下博幸，高橋佑太，山口浩一: 「ナノホールGaAs歪緩和埋め込み層によるInAs量子ドットの1.5μm面発光(2)」, 2013年（平成25年）秋季第74回応用物理学会学術講演会予稿集, 19p-D3-13 (2013) 14-045.

  73. 山口浩一: （招待講演）「自己形成量子ドットはどこまで制御できるか」, 2013年（平成25年）春季第60回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム講演「半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線」, 28a-G20-1 (2013) 36.

  74. 塩川美雪，エデスサプトラ，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドットの時間分解PL特性」, 2013年（平成25年）春季第60回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-PB6-5 (2013) 14-2044.

  75. 佐野琢哉，山口浩一: 「InAsSb層上への面内超高密度InAs量子ドット(1012 cm-2)の自己形成」, 2013年（平成25年）春季第60回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-PB7-7 (2013) 15-051.

  76. 内田圭祐，坂本克好，山口浩一: 「中間バンド型太陽電池特性の量子ドット密度依存性」, 2013年（平成25年）春季第60回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-G4-18 (2013) 14-219.

  77. 上村光典，太田潤，山口亮，山口浩一，竹内淳: 「単層高均一InAs量子ドットの面内異方性の観測」, 2012年（平成24年）秋季第73回応用物理学会学術講演会予稿集, 11a-F-11 (2012) 14-048.

  78. 塩川美雪，江口陽亮，坂本克好，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドットシートを用いた中間バンド型太陽電池の作製評価」, 2012年（平成24年）秋季第73回応用物理学会学術講演会予稿集, 12a-H8-8 (2012) 14-235.

  79. 河本憲幸，高橋佑太，山口浩一: 「ナノホールGaAs歪緩和埋込み層によるInAs量子ドットの1.5μm面発光」, 2012年（平成24年）秋季第73回応用物理学会学術講演会予稿集, 12p-J-1 (2012) 15-066.

  80. エデスサプトラ，佐野琢哉，山口浩一: 「GaAsSbバッファ層上の面内超高密度InAs量子ドットの時間分解PL特性」, 2012年（平成24年）秋季第73回応用物理学会学術講演会予稿集, 12p-J-2 (2012) 15-067.

  81. 山口浩一: （招待講演）「ナノひずみ制御による超高密度InAs量子ドットの自己形成とそのデバイス応用」, 2012年（平成24年）春季第59回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム講演「ナノひずみエレクトロニクス〜半導体ナノひずみの新規デバイス応用と高分解能測定〜」, 15p-F10-4 (2012) 171.

  82. 江口陽亮，山口浩一，藤田浩輝，塩川美雪: 「面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池応用(3)」, 2012年（平成24年）春季第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18a-C1-10 (2012) 14-290.

  83. 田邊宏行，尾坂祐治，山口浩一: 「GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの広帯域発光」, 2012年（平成24年）春季第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, 17p-DP3-16 (2012) 15-092.

  84. 佐野琢哉，太田潤，山口浩一: 「InAsSb/GaAs層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成」, 2012年（平成24年）春季第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, 16p-A8-14 (2012) 15-062.

  85. サプトラ・エデス，太田潤，山口浩一: 「GaAsSb/GaAs(001)層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成(2)」, 2012年（平成24年）春季第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, 16p-A8-13 (2012) 15-061.

  86. 笹山和俊，太田潤，中西奏太，小柳慶継，山口亮，山口浩一，竹内淳: 「単層高均一InAs量子ドットのスピン緩和」, 2011年（平成23年）第16回　半導体スピン工学の基礎と応用　PASPS-16, (2011) P20.

  87. 山口浩一，太田潤，藤田浩輝，江口陽亮: 「量子ドット太陽電池の開発　超高密度量子ドットセル」, 革新的太陽光発電カンファレンス2011（NEDO）.

  88. 笹山和俊，太田潤，中西奏太，小柳慶継，山口亮，山口浩一，竹内淳: 「単層高均一InAs量子ドットのスピン緩和時間の温度依存性」, 2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集, 1p-K-6 (2011) 14-068.

  89. 太田潤，山口浩一: 「面内超高密度GaAsSb/InAs type-II量子ドットへのGaAsスペーサ層導入効果」, 2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集, 1a-ZA-7 (2011) 15-100.

  90. サプトラエデス，太田潤，山口浩一: 「GaAsSb/GaAs(001)層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成」, 2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集, 1a-ZA-6 (2011) 15-099.

  91. 江口陽亮，藤田浩輝，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用(2)」, 2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集, 31p-H-7 (2011) 14-264.

  92. 江口陽亮，藤田浩輝，太田潤，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用」, 2011年（平成23年）第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム(岐阜).

  93. 笹山和俊，太田潤，貫井貴夫，中西奏太，山口浩一，竹内淳: 「時間分解ポンププローブ反射計測による高均一InAs量子ドットのスピン緩和の観測」, 2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, 25p-KV-11 (2011) 14-055.

  94. エデスサプトラ，山口浩一: 「InAs/GaAs量子ドットの自己形成過程におけるGa導入効果」, 2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, 24a-CE-5 (2011) 15-320.

  95. 太田潤，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドット構造におけるキャリアの空間分離とその長寿命化」, 2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, 24p-BQ-2 (2011) 15-059.

  96. 船原一祥，太田潤，山口浩一: 「GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドット成長における面内超高密度化」, 2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, 24p-BQ-1 (2011) 15-058.

  97. 藤田浩輝，山本和輝，江口陽亮，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用」, 2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, 24a-KW-8 (2011) 14-244.

  98. 柳澤拓弥，小川善秀，山口浩一: 「超低密度InAs量子ドットの自己形成制御」, 2010年（平成22年）東京京農工大学・電気通信大学 第７回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム予稿集, U65 (2010.12.11) p.36.

  99. 山口浩一：（招待講演）「量子ドット型太陽電池へ向けた量子ドットの面内超高密度化と長キャリア寿命化」, 第６回量子ナノ材料セミナー，物質材料研究機構　(2010.10.01).

  100. 小川善秀，柳澤拓弥，山口浩一: 「断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御（5）」, 2010年（平成22年）秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集, 15p-ZV-3 (2010) 15-068.

  101. 金丸豊，角田直輝，山口浩一: 「自己形成InAs量子ドットの高密度・高均一化」, 2010年（平成22年）秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集, 15p-ZV-2 (2010) 15-067.

  102. 太田潤，山口浩一: 「面内超高密度InAs量子ドットの自己形成とそのキャリア寿命時間測定」, 2010年（平成22年）秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集, 15p-ZV-1 (2010) 15-066.

  103. 山本和輝，角田直輝，海津利行（物材機構・東大先端研），高橋正光（原子力機構），藤川誠司（原子力機構），山口浩一: 「高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解Ｘ線回折測定（3）」, 2010年（平成22年）秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集, 14a-ZQ-11 (2010) 15-319.

  104. 太田潤, 山口浩一: 「量子ドット超格子構造太陽電池の研究開発（量子ドットの高均一・高密度化技術）」, NEDO新エネルギー技術開発成果報告会2010, (2010.7.27, 東京国際フォーラム) PV1-01-05.

  105. 山口浩一，角田直輝，築地伸和，関口修司，太田潤，海津利行，高橋正光:　（招待講演）「光デバイス応用に向けたInAs量子ドットの高密度・高均一成長」, 応用物理学会結晶工学分科会第132回研究会, (2010) pp.31-38.

  106. 柳澤拓弥，小川善秀，山口浩一: 「断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御(4)」, 2010年（平成22年）春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集, 17p-TW-2 (2010) 15-050.

  107. 太田 潤，角田直輝，山口浩一: 「InAs量子ドット面内超格子構造の自己形成」, 2010年（平成22年）春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集, 17p-TW-4 (2010) 15-052.

  108. 稲次敏彦，関口修司，太田 潤，山口浩一: 「InAs量子ドット面内超格子構造の積層成長」, 2010年（平成22年）春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集, 17p-TW-5 (2010) 15-053.

  109. 山口浩一: 「ナノフォトニクス半導体量子ドットの自己形成制御」, 2010年（平成22年）春季第57回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム講演「ナノフォトニクスを支えるナノ加工」, 18ｐ-N-5 (2010) 180.

  110. 山口浩一: 「半導体量子ドットの自己形成制御」, 2009年（平成21年）電気通信大学・東京京農工大学 第６回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム予稿集, (2009.12.5) p.6.

  111. 角田直輝 ，山口浩一，海津利行，高橋正光，藤川誠司: 「高密度InAs量子ドットの時間分解X線回折測定とSb照射成長中断法による高品質化」, 2009年（平成21年）電気通信大学・東京京農工大学 第６回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム予稿集, U65 (2009.12.5) p.75.

  112. 瀬尾崇志，平野和浩，山口浩一: 「太陽電池用高密度InAs量子ドットのGe基板上への成長」, 2009年（平成21年）電気通信大学・東京京農工大学 第６回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム予稿集, U67 (2009.12.5) p.77.

  113. 山口浩一：（招待講演）「自己形成量子ドットの精密制御法の展開」，第21回ナノフォトニックスセミナー， 東大　(2009.10.22).

  114. 角田直輝, 海津利行，高橋正光，藤川誠司，山口浩一: 「高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(2)」, 2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集, 11a-Q-10 (2009) p.398.

  115. 瀬尾崇志，平野和浩，山口浩一: 「Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長(2)」, 2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集, 10a-C-6 (2009) p.308.

  116. 廣瀬真幸，山口浩一: 「積層InAs量子ドットの熱処理効果」, 2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集, 10p-C-3 (2009) p.311.

  117. 関口修司，山口浩一: 「InAs量子ドット上の自己形成GaAsナノホールのモンテカルロシミュレ−ション」, 2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集, 10p-C-10 (2009) p.313.

  118. 築地伸和，山口浩一: 「自己形成GaAsナノホールを用いた近接積層InAs量子ドットの発光特性」, 2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集, 10a-C-11 (2009) p.314.

  119. 山口浩一：（招待講演）「Sb導入InAs/GaAs系量子ドットの自己形成制御　-均一性、サイズ、密度はどこまで制御できるか-」，第５回量子ナノ材料セミナー， 埼玉大　(2009.07.29).

  120. 山口浩一，角田直輝，海津利行，高橋正光，藤川誠司：「InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定」，文部科学省ナノテクノロジー・ネットワーク/重点ナノテクノロジー支援放射光利用研究成果報告会「ナノテクノロジー放射光利用研究の最前線2008」（つくば）(2009.05.08) pp.5-6.

  121. 角田直輝，海津利行，高橋正光，山口浩一: 「高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定」, 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 2a-D-9 (2009) p.450.

  122. 瀬尾崇志，平野和浩，山口浩一: 「Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長」, 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1a-J-7 (2009) p.359.

  123. パッチャカパットポンラチェット，関口修司，山口浩一: 「断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御」, 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1p-J-2 (2009) p.361.

  124. 金丸豊，角田直輝，山口浩一: 「高密度InAs量子ドットのcoarsening過程」, 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1p-J-10 (2009) p.364.

  125. 山本和輝，山口浩一: 「自己形成InAs量子ドットの成長中断におけるAs-Sb照射交換の影響」, 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1p-J-13 (2009) p.365.

  126. P. Ponlachet, 山口浩一: 「断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御」, 2008年（平成20年）東京農工大学・電気通信大学 第５回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム予稿集, P76 (2008.12.13) p.86.

  127. 関口修司, 山口浩一: 「自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの近接積層成長」, 2008年（平成20年）東京農工大学・電気通信大学 第５回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム予稿集, P75 (2008.12.13) p.85.

  128. 角田直輝, 山口浩一: 「GaAsSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットのcoarsening過程」, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 4a-CE-4 (2008) p.363.

  129. 村脇史敏, 山口浩一: 「Sb照射InAs量子ドット上のGaAs薄膜成長」, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 2a-CF-14 (2008) p.278.

  130. 関口修司, 山口浩一: 「自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上近接積層InAs量子ドットの発光特性改善」, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 2a-CF-11 (2008) p.277.

  131. 廣瀬真幸, 山口浩一: 「GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの熱処理効果(2)」, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 2a-CF-12 (2008) p.277.

  132. 山口浩一，高橋正光，海津利行，角田直輝，水木純一郎: 「InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定」, 文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト平成19年度放射光グループ研究成果報告会「放射光利用ナノテク最前線2007」, （2008.5.7, 大阪）pp.21-22.

  133. 菅藤徹，高島理人，角田直輝，山口浩一: 「GaAsSb/GaAs(001)層上のInAs量子ドット成長におけるSb導入効果」, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-ZT-2 (2008) p.351.

  134. 胡家英，廣瀬真幸，山口浩一: 「GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの熱処理効果」, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-ZT-9 (2008) p.353.

  135. 高島理人，山口浩一: 「GaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの積層成長」, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-ZT-3 (2008) p.351.

  136. 関口修司，山口浩一: 「自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上InAs量子ドットの近接積層成長」, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-ZT-8 (2008) p.353.

  137. 武藤亜弥，佐藤峻之, 山口浩一: 「自己形成GaAsナノホールを用いた２重積層InAs量子ドットのトンネルコンダクタンス測定」, 応用物理学会結晶工学分科会 2007年年末講演会, P-04 (2007) p.32.

  138. 高島理人，菅藤徹, 山口浩一: 「InAs/GaAs系量子ドットのMBE成長におけるSb導入効果」, 応用物理学会結晶工学分科会 2007年年末講演会, P-05 (2007) p.33.

  139. 高島理人，山口浩一: 「GaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの発光特性」, 2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集, 6a-E-5 (2007) p.330.

  140. 村脇史敏，築地伸和，山口浩一: 「自己形成GaAsナノホールを用いたInAsおよびGaSb量子ドットの近接積層成長」, 2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集, 6a-E-10 (2007) p.332.

  141. パッチャカパットポンラチェット，山口浩一: 「断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御（2）」, 2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集, 6p-E-11 (2007) p.332.

  142. 角田直輝，山口浩一: 「Sb導入高密度InAs量子ドットのMBE成長過程におけるドット構造変化」, 2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集, 6a-E-6 (2007) p.430.

  143. 宇美武彦，築地伸和，楠　紘慈，山口浩一，竹内　淳: 「高均一InAs/GaAs量子ドットの第二励起準位のスピン緩和」, 2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集, 6a-N-2 (2007) p.1410.

  144. 楠　紘慈，築地伸和，宇美武彦，山口浩一，竹内　淳: 「高均一InAs量子ドットの高スピン偏極発光:スピンパウリブロッキングを含むレート方程式解析」, 2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集, 6a-S-8 (2007) p.486, 1516.

  145. パッチャカパットポンラチェット，山口浩一： 「断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御」, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-Q-3 (2007) p.343.

  146. 外村慎一，山口浩一： 「InAs量子ドットのInGaAs埋め込み成長におけるサイズ揺らぎの抑制」, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-Q-14 (2007) p.347.

  147. 太田雅彦，山口浩一： 「Sb終端GaAs層上の高密度InAs量子ドットの発光特性」, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-Q-11 (2007) p.346.

  148. 吉田剛之，角田直輝，山口浩一： 「高密度InAs量子ドットの積層成長におけるGaAsSb埋め込み層の導入」, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-Q-17 (2007) p.348.

  149. 角田直輝，山口浩一： 「GaAs上のInAs量子ドット成長におけるInAsSb濡れ層の導入効果」, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-Q-8 (2007) p.448.

  150. 宇美武彦，築地伸和，楠紘慈，山口浩一，竹内淳： 「高均一InAs/GaAs量子ドットによる高スピン偏極円偏光の発生」, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30a-ZS-10 (2007) p.529, 1581.

  151. 楠紘慈，築地伸和，宇美武彦，山口浩一，竹内淳： 「高均一InAs/GaAs量子ドットによる高スピン偏極円偏光の時間分解測定」, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-T-4 (2007) p.1464.

  152. 海津利行，高橋正光，菅藤徹，築地伸和，外村慎一，山口浩一，水木純一郎： 「Sb照射GaAs(001)表面のその場X線回折測定」, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-Q-9 (2007) p.448.

  153. P.Patchakapat and K.Yamaguchi : “ Self-Formation Control of Low-Density InAs Quantum Dots by Intermittent Supply and Anneal Method ”, 公開シンポジウム「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」, P-4 (2007.3.20) pp.45-46.

  154. R.Takashima and K.Yamaguchi : “ Self-Formation of High-Density InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs by Molecular Beam Epitaxy ”, 公開シンポジウム「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」, P-3 (2007.3.20) pp.43-44.

  155. N.Kakuda, S.Tsukamoto, K.Yamaguchi and Y.Arakawa : “ InAs Quantum Dots Formation on Sb Irradiated GaAs(001) Observed by in-situ STM inside MBE Growth Chamber ”, 公開シンポジウム「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」, P-1 (2007.3.20) pp.39-40.

  156. N.Kakuda and K.Yamaguchi : “ MBE Growth of InAs Quantum Dots on InAsSb Wetting Layers ”, 公開シンポジウム「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」, P-2 (2007.3.20) pp.41-42.

  157. 山口浩一：「光通信波長帯InAs量子ドットのMBE成長その場X線回折測定」， 文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト成果発表会（2007.2.22）p.15.

  158. 角田直輝, 太田雅彦, 吉田剛之, 山口浩一: 「光通信波長帯InAs量子ドットの高均一・高密度自己形成」, 2006年（平成18年）東京農工大学・電気通信大学 第3回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム予稿集, P109 (2006.12.2) p.123.

  159. 菅籐徹, 山口浩一: 「高密度InAs量子ドットの面内自己配列形成」, 2006年（平成18年）東京農工大学・電気通信大学 第3回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム予稿集, P108 (2006.12.2) p.122.

  160. 築地伸和, 山口浩一: 「自己形成GaAsナノホールを用いた近接積層InAs量子ドットのMBE成長」, 2006年（平成18年）東京農工大学・電気通信大学 第3回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム予稿集, P107 (2006.12.2) p.121.

  161. 山口浩一： 「高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成制御」, 2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集, シンポジウム講演「ボトムアップ成長技術のマイルストーンとナノエピタキシィへの展開」, 30p-B-8 (2006) p.34.

  162. 菅藤徹，山口浩一： 「GaAsSb/GaAs(001)基板上の高密度InAs量子ドットの面内自己配列形成」, 2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集, 31p-ZF-1 (2006) p.299.

  163. 角田直輝，塚本史郎，永原靖治，磯村暢宏，山口浩一，荒川泰彦： 「Sb 照射GaAs(001)表面上InAs量子ドットのMBE成長その場STM観察」, 2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集, 29a-ZF-1 (2006) p.378.

  164. 吉田剛之，山口浩一： 「MBEによる高密度InAs量子ドットのGaAsSb埋め込み成長」, 2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集, 31a-ZF-9 (2006) p.298.

  165. 築地伸和，山口浩一： 「自己形成GaAsナノホールを用いた高均一InAs量子ドットの近接積層成長」, 2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集, 31a-ZF-11 (2006) p.298.

  166. 外村慎一，山口浩一： 「Sb/GaAs層上高密度InAs量子ドットのInGaAs埋め込み成長による高均一化」, 2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集, 31p-ZF-13 (2006) p.303.

  167. N.Kakuda, S.Tsukamoto, K.Yamaguchi, Y.Arakawa： 「InAs wetting layer formation on Sb irradiated GaAs(001) observed by in-situ STM inside MBE growth chamber」, 25th Electronic Materials Symposium (EMS-25),Izunagaoka (2006.7.5-7) A10.

  168. 山口浩一，海津利行，菅藤徹，吉田剛之，太田雅彦，高橋正光，水木純一郎： 「高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成とその場時間分解X線回折測定」, 文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト平成17年度放射光グループ研究成果報告会「放射光利用ナノテク最前線2006」,（2006.6.23, 東京）pp.35-38.

  169. 山口浩一： 「高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成制御」, ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」,(2006.5.29)，pp.17-18.

  170. 吉田剛之，太田雅彦，山口浩一： 「Sb/GaAs(001)バッファ層上への高密度InAs量子ドットのMBE成長」, ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」,(2006.5.29)，P-2, pp.43-44.

  171. 菅藤徹，山口浩一： 「MBEによるGaAsSb/GaAs(001)バッファ層上への高密度InAs量子ドットの面内自己配列」, ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」,(2006.5.29), P-4, pp.47-48.

  172. 築地伸和，山口浩一： 「自己形成GaAsナノホールを用いた高均一InAs量子ドットの近接積層成長」, ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」,(2006.5.29), P-11, pp.61-62.

  173. 角田直輝，塚本史郎，山口浩一，荒川泰彦： 「Sb照射GaAs(001)層上InAs量子ドットのMBE成長その場STM観察」, ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」,(2006.5.29), P-6, pp.51-52.

  174. 菅藤　徹，山口浩一： 「GaAsSb/GaAs(001)基板上への高密度InAs量子ドットの自己配列形成」, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集, 25p-T-4 (2006) p.339.

  175. 太田雅彦，山口浩一： 「Sb/GaAs層上への高密度・高均一InAs量子ドットのMBE成長 - Sb/GaAs成長条件依存性 -」, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集, 24p-T-9 (2006) p.341.

  176. 角田直輝，塚本史郎，永原靖治，磯村暢宏，山口浩一，荒川泰彦： 「Sb照射GaAs(001)表面上InAs量子ドットMBE成長その場STM観察」, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集, 22p-Q-16 (2006) p.432.

  177. 外村慎一，太田雅彦，山口浩一： 「Sb/GaAs層上への高密度・高均一InAs量子ドットのMBE成長」, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集, 24p-T-8 (2006) p.340.

  178. 富田充朗，山口浩一： 「GaAs層上の高密度・高均一InAs量子ドットのMBE成長」, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集, 24p-T-13 (2006) p.342.

  179. 築地伸和，佐藤峻之，山口浩一： 「自己形成GaAsナノホールを用いたInAs量子ドットの近接積層成長」, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集, 24p-B-6 (2006) p.1475.

  180. 宮田匠悟，鈴木康太，楠　紘慈，素川靖司，山口浩一，竹内　淳： 「高均一InAs結合量子ドットにおけるフォトルミネッセンス時間分解測定」, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集, 24p-B-12 (2006) p.1477.

  181. 山口浩一，海津利行, 菅藤 徹, 吉田剛之, 太田雅彦, 高橋正光, 水木純一郎： 「化合物半導体量子ドット成長のその場観察による成長機構に関する研究」, 第１回JAEA放射光科学研究シンポジウム（SPring-8）(2006.3.2-3)) P-5.

  182. 山口浩一：（招待講演）「高密度InAs量子ドットの自己形成」，第１回量子ナノ材料セミナー， 情報通信研究機構（小金井）(2005.10.3).

  183. 佐藤峻之，山口浩一： 「自己形成GaAsナノホールを用いたInAs量子ドットダイオードのコンダクタンス測定」, 2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集, 10p-W-13 (2005) p.1230.

  184. 吉田剛之，山口浩一： 「表面交換反応制御法による高密度InAs量子ドットのGaAsSb埋め込み成長」, 2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集, 10p-W-10 (2005) p.1229.

  185. 楠　紘慈，鈴木康太，宮田匠悟，素川靖司，高河原俊秀，山口浩一，竹内　淳： 「高均一InAs量子ドットのスピン偏極率緩和時間の温度依存性」, 2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集, 9p-W-5 (2005) p.*1218.

  186. 菅藤　徹，山口浩一： 「GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドットの自己配列形成(3) -バッファ層成長温度依存性-」, 2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集, 8p-ZD-21 (2005) p.226.

  187. 太田雅彦，山口浩一： 「GaSb/GaAs層上の自己形成InAs量子ドットの密度制御」, 2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集, 8p-ZD-17 (2005) p.224.

  188. 角田直輝，塚本史郎，本間　剛，磯村暢宏，山口浩一，荒川泰彦： 「GaAs(001)-c(4x4)上のSb照射表面その場STM観察」, 2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集, 8p-ZD-8 (2005) p.317.

  189. 松田一成, 金光義彦, 杉本義明, 斎木敏治, 山口浩一, S. Nair：「近接場光学顕微鏡によるタイプIIGaSb/GaAs量子ドットイメージング・分光」, ナノフォトニクス研究会, 慶応大学 (2005.7.4-5)

  190. 吉田剛之, 太田雅彦, 山口浩一：「Sb/GaAsバッファ層上への高密度InAs量子ドットのMBE成長」, 電子情報通信学会「次世代ナノ技術に関する研究専門委員会」第４回研究会 材料デバイスサマーミーティング「量子ナノ構造の作製とデバイス化」, NNN2005-3-2 (2005) pp.3-8.

  191. 竹内淳, 黒田剛正, 山口浩一, 中田義昭, 横山直樹, 高河原俊秀：「量子ドットの電子スピンの振る舞いと操作：量子情報処理実現に向けて」, 電子情報通信学会「次世代ナノ技術に関する研究専門委員会」第４回研究会 材料デバイスサマーミーティング「量子ナノ構造の作製とデバイス化」, NNN2005-3-4 (2005) pp.14-15.

  192. 菅藤　徹，山口浩一： 「GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドットの自己配列形成(2)」, 2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZM-6 (2005) p.356.

  193. 堀田正憲，山口浩一： 「MBEによるInP基板上のGaSb量子ドットの自己形成」, 2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30a-V-5 (2005) p.1558.

  194. 吉田剛之，山口浩一： 「GaSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの積層成長」, 2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30a-V-4 (2005) p.1558.

  195. 太田雅彦，山口浩一：「GaSb/GaAs層上への高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成 (2)」, 2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29p-ZM-12 (2005) p.349.

  196. 海津利行，高橋正光，佐藤峻之，堀田正憲，山口浩一，水木純一郎： 「その場X線回折による成長中断中のInAs量子ドットの構造変化の解析」, 2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29p-ZM-9 (2005) p.348.

  197. 宮田匠悟，鈴木康太，濱崎陽介，大嶽浩隆，村木信介，山口浩一，竹内　淳： 「高均一InAs量子ドットの第1励起準位におけるスピン偏極率緩和時間の温度依存性」, 2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29p-V-4 (2005) p.1550.

  198. 山口浩一：「MBEによるInAs量子ドットの自己形成制御」, 2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会　 シンポジウム講演「量子ドットの将来像と実現のためのマイルストーン」, 3p-V-1 (2004) p.70.

  199. 小林良幸，山口浩一：「高均一InAs量子ドットのアニール効果(2)」, 2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集, 1p-P2-11 (2004) p.266.

  200. 太田雅彦，菅藤 徹，山口浩一：「GaSb/GaAs層上への高密度InAs量子ドットの自己形成」, 2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集, 1p-P2-2 (2004) p.263.

  201. 菅藤 徹，山口浩一：「GaAsSbバッファ層上へのInAs量子ドットの自己配列形成」, 2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集, 4a-ZK-8 (2004) p.1243.

  202. 佐藤峻之，山口浩一：「2重積層InAs量子ドットに結合したGaAsナノホールの自己形成」， 2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集, 4a-ZK-7 (2004) p.1243.

  203. 濱崎陽介，鈴木康太，中川裕文，山口浩一，竹内 淳：「高均一InAs量子ドットの励起フォトルミネセンス（PLE）測定」， 2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集, 3p-ZK-2 (2004) p.1235.

  204. 小林良幸，山口浩一：「高均一InAs量子ドットのアニール効果」, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-ZB-5 (2004) p.1528.

  205. 菅藤 徹，山口浩一：「GaSb単分子層上への高密度InAs量子ドットの自己形成」, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-ZB-6 (2004) p.1529.

  206. 佐藤峻之，金 海燕，山口浩一：「埋め込みInAs量子ドットに結合したGaAsナノホールの自己形成制御」, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-ZB-7 (2004) p.1529.

  207. 仲井貴紀，山口浩一：「GaAs/GaSb 量子井戸のMBE成長におけるSb-As交換反応のカイネティックモデル解析（２）」, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-YL-3 (2004) p.342.

  208. 堀田正憲，岩崎誠樹，山口浩一：「GaSb/GaAs自己形成量子ドットにおける成長中断」, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30a-YG-10 (2004) p.348.

  209. 岩崎誠樹，海津利行，山口浩一：「自己制限InAs量子ドットの構造安定性」, 2004年(平成16年v第２回研究会「半導体量子ドットの高品質作製技術と先端光デバイス応用」, 早稲田大学（2003.12.11）.

  210. 松田一成, 杉本義明, 斎木敏治, 山口浩一:「GaSb/GaAsタイプII量子ドットにおける2励起子状態」,　 第14回光物性研究会, 大阪市立大学 (2003.12.5-7) I-B-28.

  211. A.Takeuchi, R.Ohtsubo, M.Murayama, K.Kitamura, T.Kuroda, Y.Nakata, N.Yokoyama and K.Yamaguchi : “ Observation of Spin Relaxation, Tunneling, Anti-ferromagnetic coupling and Pauli Blocking in Quantum Dots “, The 9th Symposium on the Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors　(PASPS-9), Tokyo (Jun. 11-12, 2003).

  212. 山口浩一：（招待講演）「高均一量子ドットの成長条件とその物理的起源」, 2003年 (平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集, 1p-ZF-1 (2003) p.1268.

  213. 三浦 健, 仲井貴紀, 山口浩一：「GaAs表面のGaSb終端化処理制御とその特性」, 2003 年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集, 1p-ZC-6 (2003) p.597.

  214. 海津利行, 武田 宙, 山口浩一 :「GaAs埋め込みInAs量子ドットの1.3 μｍ発光」, 2003 年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集, 1p-ZF-4 (2003) p.1269.

  215. 海津利行, 山口浩一 :「高密度・高均一InAs量子ドットの積層成長」, 2003年(平成 15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集, 31p-K-4 (2003) p.268.

  216. 岩崎誠樹, 堀田正憲, 仲井貴紀, 山口浩一 :「GaSb量子ドットのGaAs埋め込み成長 温度依存性」, 2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集, 31p-ZF-11 (2003) p.1262.

  217. 岩崎誠樹, 山口浩一 :「ＳＫ量子ドットの初期成長過程」, 2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集, 31p-K-3 (2003) p.267.

  218. 菅藤 徹, 山口浩一 :「GaAs微傾斜基板上への１次元InAs量子ドット鎖の自己形成」, 2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集, 1a-ZF-3 (2003) p.1269.

  219. 鈴木康太, 山口浩一 :「積層InAs量子ドットのファセット形成制御」, 2003年(平成 15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集, 31p-K-7 (2003) p.269.

  220. 仲井貴紀, 山口浩一 :「GaAs/GaSb量子井戸成長におけるSb-As交換反応のカイネテ ィックモデル解析」, 2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集, 1a-K-2 (2003) p.273.

  221. 村山雅洋, 大坪 亮, 北村崇光, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内 淳：「高均一InAs量子ド ットにおけるスピン偏極の観測４−温度依存性」, 2003年(平成15年) 秋季第64回 応用物理学会学術講演会予稿集, 1p-ZF-17 (2003) p.1274.

  222. 北村崇光, 大坪 亮, 村山雅洋, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内 淳：「高均一InAs量子ド ットにおけるキャリア緩和機構2」, 2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学 術講演会予稿集, 1p-ZF-16 (2003) p.1273.

  223. 菅藤 徹, 山口浩一 : 「１次元InAs量子ドット鎖の自己配列（3）」, 2003年(平成 15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-ZE-10 (2003) p.1461.

  224. 海津利行, 山口浩一 :「自己制限InAs量子ドット形成過程のInAs成長条件依存性 (2)」, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-ZE-9 (2003) p.1460.

  225. 仲井貴紀, 岩崎誠樹, 山口浩一 :「GaAs/GaSb量子ドットの成長温度依存性」, 2003年 (平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-YA-9 (2003) p.367.

  226. 金 海燕, 大坪 亮, 山口浩一 :「InAs量子ドットに結合したGaAsナノホールの自己形 成」, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-ZE-11 (2003) p.1461.

  227. 鈴木康太, 大坪 亮, 山口浩一 :「高均一InAs量子ドットの積層成長」, 2003年(平成 15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-YA-6 (2003) p.366.

  228. 岩崎誠樹, 山口浩一 :「InAs２次元成長層のアニ−ルによる３次元ドット形成 (2)」, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-YA-4 (2003) p.365.

  229. 村原大介, 小林良幸, 山口浩一 :「Ni探針を用いたスピン偏極STM」, 2003年(平成 15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-G-15 (2003) p.736.

  230. 藪下智仁, 大坪 亮, 村山雅洋, 北村崇光, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内 淳 : 「高均一 InAs量子ドットにおけるスピン偏極の観測2 - GaAs層のキャリアダイナミクス」, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30a-ZE-9 (2003) p.1480.

  231. 北村崇光, 大坪 亮, 村山雅洋, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内 淳 :「高均一InAs量子 ドットにおけるエネルギー緩和機構」, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関 係連合講演会予稿集, 29p-ZE-4 (2003) p.1472.

  232. 村山雅洋, 大坪 亮, 北村崇光, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内 淳 :「高均一InAs量子 ドットにおけるスピン偏極の観測３ーキャリア濃度依存性」, 2003年(平成15年) 春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30a-ZE-10 (2003) p.1481.

  233. M.Murayama, R.Ohtsubo, K.Kitamura, T.Kuroda, K.Yamaguchi and A.Tackeuchi : “ Observation of Spin Pauli Blocking in InAs High-Uniformity Quantum Dots “, The 8th Symposium on the Physics and Application of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-8), Sendai (Dec. 19-20 2002).

  234. 海津利行, 山口浩一 :「自己制限InAs量子ドット形成過程のInAs成長条件依存性」, 2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集, 25a-YD-3 (2002) p.281.

  235. 岩崎誠樹, 山口浩一 :「GaSb/GaAs量子ドットの低成長速度・低Sb圧成長」, 2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集, 25a-YD-4 (2002) p.281.

  236. 大坪 亮, 山口浩一 :「In表面偏析効果を促進したInAs量子ドットのPL特性」, 2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集, 26p-P13-6 (2002) p.1209.

  237. 菅藤徹, 山口浩一 :「１次元InAs量子ドット鎖の自己配列（２）」, 2002年(平成14年)秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集, 26p-P13-19 (2002) p.1213.

  238. 村山雅洋, 大坪亮, 北村崇光, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内淳 :「高均一InAs量子ドットにおけるスピン偏極の観測」, 2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集, 26a-ZA-6 (2002) p.435,1299.

  239. 北村崇光, 大坪亮, 村山雅洋, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内淳 :「高均一InAs量子ドットによるフォノンボトルネック現象の直接観測」, 2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集, 26p-P13-16 (2002) p.1212.

  240. 海津利行, 山口浩一 :「InAs量子ドットの自己制限過程」, 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-ZQ-6 (2002) p.336.

  241. 岩崎誠樹, 海津利行, 山口浩一 :「InAs２次元成長層のアニ−ルによる３次元ドット形成」, 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-ZQ-5 (2002) p.335.

  242. 大坪 亮, 齋藤佳邦, 山口浩一 :「InAs量子ドットのInGaAs/GaAs埋め込み成長」, 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-YH-5 (2002) p.1384.

  243. 菅藤徹, 山口浩一 :「１次元InAs量子ドット鎖の自己配列」, 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-YH-6 (2002) p.1385.

  244. 齋藤佳邦, 山口浩一 :「InAs量子ドットの埋め込み成長過程(3) -MCシミュレーション-」, 2001年(平成13年)秋季第62回応用物理学会学術講演会予稿集, 13a-YB-5 (2001) p.1042.

  245. 大坪 亮, 齋藤佳邦, 山口浩一 :「InAs量子ドットの埋め込み成長過程(2) -成長温度依存性-」, 2001年(平成13年)秋季第62回応用物理学会学術講演会予稿集, 13a-YB-4 (2001) p.1042.

  246. 海津利行, 山口浩一 :「InAsアイランドサイズの形成サイト依存性」, 2001年(平成13年)秋季第62回応用物理学会学術講演会予稿集, 12p-T-11 (2001) p.230.

  247. 山口浩一, 三浦　健 :「光励起GaAs探針を用いたスピン偏極STM」, 2001年(平成13年)秋季第62回応用物理学会学術講演会 シンポジウム講演「SPMによるナノ領域のスピン計測」 (2001) p.13.

  248. 市原　純, 海津利行, 山口浩一 :「自己組織化InAsドットの初期形成過程」, 2001年(平成13年)春季第48回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29p-YD-6 (2001) p.1345.

  249. 海津利行, 山口浩一 :「自己制限InAs量子ドットのファセット形成過程」, 2001年(平成13年)春季第48回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29p-YD-7 (2001) p.1345.

  250. 三浦　健, 廣田栄伸, 山口浩一 :「GaAs探針を用いたスピン偏極STMの開発」, 2001年(平成13年)春季第48回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29p-ZE-7 (2001) p.687.

  251. 川越毅, 鈴木義茂, 篠原亮一, 山口浩一 : ”金属および半導体探針を用いた磁性体表面のＳＴＳ及びＳＰ−ＳＴＭ”, 科研費補助金創成的基礎研究費研究会 (表面・界面 -異なる対称性の接点の物性), 2001年１月.

  252. 斉藤佳邦, 山口浩一 :「InAs量子ドットの埋め込み成長過程」, 2000年(平成12年)秋季第61回応用物理学会学術講演会予稿集, 4p-ZR-2 (2000) p.1150.

  253. 祐乗坊邦彦, 海津利行, 山口浩一 :「自己組織化InAs量子ドットの低成長速度形成」, 2000年(平成12年)秋季第61回応用物理学会学術講演会予稿集, 3a-ZA-8 (2000) p.252.

  254. 海津利行, 山口浩一 :「自己制限InAs量子ドットの形成過程」, 2000年(平成12年)秋季第61回応用物理学会学術講演会予稿集, 4p-ZR-3 (2000) p.1150.

  255. 山口浩一, 海津利行, 祐乗坊邦彦 : “自己組織化InAs量子ドットの高均一化 -ドットサイズの自己制限効果-”, 電子情報通信学会技術研究報告(レーザ量子エレクトロニクス研究会), LQE2000-16 (2000年6月) pp.13-20.

  256. 川口和寿, 山口浩一 :「自己組織化InAs量子ドットの１次元配列現象」, 2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-K-9 (2000) p.486.

  257. 祐乗坊邦彦, 海津利行, 山口浩一 :「自己組織化InAs量子ドットの低As圧成長」, 2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-P8-7 (2000) p.324.

  258. 海津利行, 祐乗坊邦彦, 山口浩一 :「自己組織化InAs量子ドットサイズの自己制限効果(2)」, 2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-K-8 (2000) p.486.

  259. 廣田栄伸, 篠原亮一, 山口浩一 :「スピン偏極STM用GaAsマイクロ探針における表面準位の効果」, 2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29p-A-17 (2000) p.665.

  260. 鈴木義茂, 川越毅, W.Nabhan, 山口浩一, 篠原亮一 : ”GaAsおよび強磁性探針を用いたスピン偏極STMの研究”, 科研費補助金創成的基礎研究費研究会 (表面・界面 -異なる対称性の接点の物性), 2000年１月.

  261. 海津利行, 山口浩一 :「自己組織化InAs量子ドットサイズの自己制限効果」, 1999年(平成11年)秋季第60回応用物理学会学術講演会予稿集, 2p-D-3 (1999) p.1178.

  262. 安田佳克, 八木修平, 山口浩一 :「MBE成長におけるIn表面偏析効果のモンテカルロシミュレーション」, 1999年(平成11年)秋季第60回応用物理学会学術講演会予稿集, 1a-P2-1 (1999) p.1113.

  263. 難波孝善, 山口浩一 :「GaAs微細加工STM探針を用いたGaAsナノ構造の作製」, 1999年(平成11年)秋季第60回応用物理学会学術講演会予稿集, 3p-D-6 (1999) p.1188.

  264. 海津利行, 寺澤博雅, 山口浩一 :「高均一InAs自己形成量子ドットの発光特性」, 1999年(平成11年)春季第46回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZL-14 (1999) p.540.

  265. 平池忠浩, 川口和寿, 山口浩一 :「歪制御InGaAsバッファ層へのInAs量子ドットのMBE選択成長(2)」, 1999年(平成11年)春季第46回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZL-16 (1999) p.541.

  266. 篠原亮一, 山口浩一 :「円偏光励起GaAs探針の表面準位とスピン偏極信号の関係」, 1999年(平成11年)春季第46回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-H-2 (1999) p.707.

  267. 鈴木義茂, 篠原亮一, 山口浩一, W.Nabhan, 佐藤俊彦 : ”GaAs微細加工探針を用いたスピン偏極STMの試みと問題点”, 科研費研究会(表面・界面 -異なる対称性の接点の物性), (1999年1月)

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  269. 平池忠浩, 川口和寿, 山口浩一 :「歪制御InGaAsバッファ層へのInAsドットのMBE選択成長」, 1998年(平成10年)秋季第59回応用物理学会学術講演会予稿集, 17p-YG-1 (1998) p.423.

  270. 篠原亮一, 飯銅剛, 山口浩一 :「円偏光励起GaAsマイクロ探針を用いたNi表面のSTM観察(3)」, 1998年(平成10年)秋季第59回応用物理学会学術講演会予稿集, 16a-X-7 (1998) p.563.

  271. 鈴木義茂, W.Nabhan, 佐藤俊彦, 篠原亮一, 山口浩一 :　“GaAs探針を用いたスピン偏極STMの問題点”, 第22回日本応用磁気学会学術講演会, 20aF-3, p.114 (1998年9月)

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  276. 平井克典, 安田佳克, 山口浩一 :「In表面偏析効果のMBE成長表面構造による変化」,1998年(平成10年)春季第45回応用物理学関係連合講演会予稿集, 31a-R-10 (1998) p.1356.

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  296. 多田哲, 山口浩一 :「GaAsマイクロSTM探針の作製」, 1995年(平成7年)秋季第56回応用物理学会学術講演会予稿集, 26a-ZK-1 (1995) p.359.

  297. 山口浩一, 湯郷成美, 岡本孝太郎 :「GaAs選択成長層のSTM探針への応用」,1995年(平成7年)春季第42回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28a-SZY-2 (1995) p.203.