３．解説論文等(2025〜1995)

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  1. 山口浩一 ：“ 面内超高密度量子ドットのエピタキシャル成長技術とその光電子デバイスへの応用 ”, 日本鉱業振興会機関誌「鉱山」第829号 2025年2・3月号 pp.17-28.

  2. 山口浩一, 宮下直也 ：“ 面内超高密度InAs量子ドット層の導入による集光型GaAs太陽電池の特性改善 ”， JETI（日本出版制作センター発行）, Vol.73, No.4 (2025) pp.16-19.

  3. 山口浩一 ：　“ 半導体物性の基礎と光電子デバイス応用 ”， 日本テクノセンター技術セミナー (2025年1月14日) テキストpp.1-84.

  4. 山口浩一 ：　“ 超高密度量子ドットの結晶成長技術とその光電子デバイスへの応用 ”， クリーンテクノロジー2024年11月号（日本工業出版）pp.66-69.

  5. 山口浩一 ：　“ 量子ドットの光・電子デバイスへの応用・可能性 ”， 技術情報協会セミナー「量子ドットの設計，カドミニウムフリー化，応用，今後の展望」 (2024年3月29日) pp.1-41.

  6. 山口浩一 ：　“ 面内超高密度量子ドットの自己形成と光電子デバイス応用 ”，金属 Vol.90, No.10 (2020) pp.43-47. (アグネ技術センター).

  7. 山口浩一 ：　“ 量子ドットの基礎知識と結晶成長およびデバイス応用 ”， R&D支援センター・セミナー (2018年8月23日, 東京) セミナー資料 pp.1-73.

  8. 山口浩一 ：　“ 量子ドットデバイスと最先端太陽電池開発 ”， 第106回研究開発セミナー（電通大）「クリーンテック・水素社会への挑戦」 (2016年10月11日)講演集 pp.5-16.

  9. 山口浩一 ：　“ 光デバイス応用に向けたV-X族半導体量子ドットの結晶成長技術の進展 ”， OPTRONICS (No.394, 2014年10月) pp.79-84.

  10. 山口浩一 ：　“ 量子ドットの作製技術・構造制御と応用 ”， 技術情報協会セミナー (2014年7月, 東京) テキスト pp.1-43.

  11. 山口浩一 ：　“ 半導体量子ドットのデバイス応用における作製技術の課題と展望 ”， 研究開発リーダー（3月号）技術情報協会 (2014年) pp.38-42.

  12. 山口浩一 ：　“ 量子ドットの作製技術とデバイスへの応用 ”， サイエンス & テクノロジー　技術セミナー (2013年10月, 東京) セミナー資料 pp.1-27.

  13. 山口浩一, 菅藤徹,　太田雅彦 ：　“ Sb原子による表面・界面改質効果を利用したInAs量子ドットの自己形成制御 ”， 表面科学 Vol.27, No.12 (2006) pp.36-43.

  14. 山口浩一 ：　“ 高均一量子ドットの自己形成 ”，応用物理学会誌 ３月号 (2005) pp.307-312.

  15. 山口浩一 ：　“ 半導体量子ドット構造の自己組織化成長 ”，物性研究 Vol.79 No.3 (2002) pp.491-501.（第47回物性若手夏の学校 (2002年8月, 東京) 講義ノート）

  16. 山口浩一, 篠原亮一 ：　“ 光励起GaAs探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の試み ”, 真空, 第43巻5号 (2000) pp.580-586.

  17. 篠原亮一，山口浩一 ：　“ 原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の試作 ”, 電気通信大学紀要　第9巻 第1号（1996年6月）pp.1-7.