GaAs半導体上にInAs半導体の微小な結晶粒を自己組織化法により作製したものの断面写真です。 この結晶粒の大きさは、高さが約６nm（ナノメートル）、底辺が約２０nmのピラミッド形をしています。1ナノメートル(nm)は１００万分の１ミリメートルのことで、仮に地球の大きさを １メートル程度とすると、写真の微小な半導体結晶粒はりんご１個分の大きさに なります。このナノメートルサイズの半導体に電子を閉じ込めると、量子力学的な 不思議な性質を示し、これまでにない新しい機能や優れた性能をもつ次世代の 電子・光デバイスへの応用が期待されています。
この微小な結晶粒は「量子ドット（または量子箱）」と呼ばれ、山口研究室では、 この量子ドットのサイズや形成位置などを精密に制御して作製する方法の 研究を進めています。（詳しくは、「山口研究室の研究内容」をご覧下さい。）
（写真は、山口研究室で作製したInAs量子ドットのサンプルを、ハンガリー科学 アカデミー応用物理学研究所のBarna博士との共同研究により透過型電子顕微鏡 を用いて撮影したものです。）